半导体结构.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.06万字
约 10页
2023-08-21 发布于四川
举报
版权申诉

半导体结构.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：半导体衬底、掺杂阱、第一绝缘层、电容结构、导线、探针垫。掺杂阱与所述半导体衬底具有不同的掺杂形态，且形成于所述半导体衬底内，以使所述掺杂阱和所述半导体衬底在堆叠方向上形成PN结；电容结构形成于所述半导体衬底上，且位于所述掺杂阱以外位置；第一绝缘层设置于所述掺杂阱上；探针垫设置于所述第一绝缘层背离所述掺杂阱的一侧；导线连接于所述探针垫与所述电容结构的第一电极之间。本公开提供的半导体结构可以被准确、方便的测量电容结构的电容。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210156384 U (45)授权公告日 2020.03.17 (21)申请号 20192