屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-08-23 发布于四川
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屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法.pdf

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法。所述结构包括沿第一方向层叠设置的顶层金属层、层间介质层、外延层以及衬底，划分为元胞区域和肖特基区域；肖特基区域包括具有多层台阶结构的肖特基金属区，其第一端、第二端分别与顶层金属层、隔离介质层电接触。本发明通过多层台阶层叠结构将电场逐层拉平，部分电场优先指向肖特基金属区形成的零电位位置，且在上述结构中第二端距离外延层仍有一定距离，这样的结构可以调控指向第二端的电场线数量，即调整电场强度分布，逐步将电场调节为接近于矩形电场的形状，改善了电场集中

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116632040 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310910193.3 (22)申请日 2023.07.24 (71)申请人苏州华太电子技术股份有限公司地址

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