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低压CMOS器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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低压CMOS器件及其制备方法.pdf

    本申请提供一种低压CMOS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底中形成有浅沟槽隔离结构，衬底上形成有栅极结构；以图案化的光刻胶层为掩膜，对衬底进行至少三次离子注入，以分别形成LDD区、Halo区和阱区；去除图案化的光刻胶层；形成侧墙结构；以及形成第一重掺杂区和第二重掺杂区。本申请通过将阱区注入、LDD区注入、Halo区注入的光罩合并成一张，并且在形成栅极结构之后分别进行阱区注入、LDD区注入和Halo区注入，使得LDD区和Halo区注入到整个阱区注入的区域，这样可以节省两张光罩，简

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116631948 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310735979.6 (22)申请日 2023.06.20 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司 地址

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