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- 2023-08-23 发布于四川
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本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成具有金属栅极结构、源极和漏极的场效应晶体管(FET)。设置在伪金属栅极结构之间的第一前侧接触件形成在隔离绝缘层上方。前侧布线层形成在第一前侧接触件上方。从衬底的背侧去除衬底的部分，从而暴露隔离绝缘层的底部。从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口以暴露第一前侧接触件的底部。通过用导电材料填充第一开口以连接第一前侧接触件而形成第一背侧接触件。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116631940 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310272193.5 H01L 21/336 (2006.01)
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