1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种具有漏栅互联结构的IGZO晶体管及其制备方法.pdfVIP

  • 25
  • 0
  • 约2.99万字
  • 约 21页
  • 2023-08-23 发布于四川
  • 举报

一种具有漏栅互联结构的IGZO晶体管及其制备方法.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有漏栅互联结构的IGZO晶体管及其制备方法；晶体管包括：背栅、背栅介质层、a‑IGZO沟道层、顶栅介质层、源极及漏极源极、漏极与顶栅介质层的侧面、a‑IGZO沟道层的侧面连接，源极、漏极与背栅介质层顶部连接，漏极与顶栅介质层顶部连接，源极与顶栅介质层顶部不连接。本发明解决了IGZO晶体管源漏极容易接触短路、IGZO沟道区狭窄导致的电子迁移率低、开态电流小的问题，同时较现有技术同等条件下具有更大的电子迁移率，同时具有更大的漏极电场，有助于降低接触势垒，进一步

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116632047 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310274252.2 (22)申请日 2023.03.17 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 1

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >