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屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法.pdf

    本发明公开了一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法。该晶体管包括沿指定方向层叠的外延层、层间介质层和顶层金属层等，同时包括沿垂直于指定方向的方向分布的元胞区和肖特基区；该肖特基区设有第一沟槽，第一沟槽内设有屏蔽栅、隔离介质层、选择性外延区；选择性外延区内设有肖特基接触槽，肖特基金属区的第一部分填充于该肖特基接触槽中，第二部分与顶层金属层电接触。本发明通过在肖特基金属区的电场集中端包裹选择性外延区，利用选择性外延区扭转电场线方向，从而降低了肖特基二极管的电场集中程度，进而降低了器件的漏电程度，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116632041 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310910253.1 (22)申请日 2023.07.24 (71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司 地址

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