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只含受主杂质时的载流子浓度 只含受主杂质时，为p型半导体，此时电中性条件为 (1) 类似于只含施主杂质的n型半导体的分析方法，按照温度从低到高变化的过程，分成杂质电离区、过渡区和本征激发区。 1 杂质电离区 在本征激发可以忽略的低温范围，价带空穴主要由电离受主提供，式1可以简化成 (2) 根据价带空穴公式和电离受主浓度公式，式2可以重新写为 (3) (1) 低温弱电离区 温度很低时，电离受主很少，此时 ， ，所以式3可以写成 (4) 由式4，可以得到此时的费米能级 (5) 相应的价带空穴浓度为 (6) 随温度变化趋势为 (7) (2)中等电离区 这时，电中性条件仍然为 ，只不过 和 条件不再满足，此时直接解式(3)，可以得到费米能级 和价带空穴的浓度公式 (8) (9) (3)强电离区(饱和区域) 温度继续上升，电离杂质越来越多接近全部电离，而本征激发还不显著，在此过程中，价带空穴的浓度基本保持不变，又称为饱和区。在饱和区电中性条件变为 (10) 此时费米能级 为 (11) 此时 ， ；随着温度升高，几乎线性上升。 (4)强电离和弱电离的区分条件 当 时为弱电离，当 时为强电离。电离的受主浓度公式为 即 所以弱电离的条件变为 ，强电离的条件变为 。进一步地，把公式8带入到上面的式子，则得到 弱电离条件 (12) 强电离条件 (13) 2 过渡区 当本征激发不能再被忽略时，此时电子浓度与空穴浓度相比也不能再被忽略，此时的电中性条件为 (14) 再利用 ，将此二式联立求解，得： (15) (16) 将式(15)带入公式 ，则得 (17) 将式(16)带入公式 (18) 由式(16)可知，当 时，则 为强电离情形。由此可知， 与 相比拟是区别强电离区与过渡区的条件。 3.本征激发区 准确地讲，公式(15)~(18)不仅满足过渡区条件，还满足本征激发区的条件。 当温度进一步升高，本征激发产生的载流子浓度将逐步远大于杂质电离产生的载流子浓度，此时电中性条件为 (19) 这时，便于本征半导体的情况一样了。杂质半导体在较高温度下呈现本征的特点，此时已经无n区和p区的区分，半导体器件将不能正常工作。 图1? Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系