环境工程电工电子--第五章.pptxVIP

输入信号按时间可分为连续时间信号( 模拟信号 )和离散时间信号( 数字信号) 。 处理模拟信号的电子电路称为模拟电路,电路中的晶体管工作在线性放大状态。 处理数字信号的电子电路称为数字电路,电路中的晶体管一般在工作开关状态。电子技术内容----模拟电路和数字电路 摩尔定律：集成电路中的晶体管数目每两年增加一倍； CPU性能每18个月增加一倍。摩尔定律集成电路的发展遵从摩尔定律 物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体3类。 日常生活中接触到的金、银、铜、铝等金属都是良好的导体，它们的电导率在105S·cm-1量级； 而像塑料、云母、陶瓷等几乎不导电的物质称为绝缘体，它们的电导率在10-22~10-14S·cm-1量级； 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，它们的电导率在10-9~102S·cm-1量级。自然界中属于半导体的物质有很多种类，目前用来制造半导体器件的材料大多是提纯后的单晶型半导体，主要有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓（GaAs)等。 第五章 常用电子元件及其应用 本征半导体 完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体 。它具有共价键结构。 锗和硅的原子结构单晶硅中的共价键结构价电子硅原子 在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电。空穴和自由电子都称为载流子。它们成对出现，成对消失。在常温下自由电子和空穴的形成复合自由电子本征激发空穴半导体的导电性能对温度很敏感 杂质半导体： N型半导体和P型半导体原理图P自由电子结构图磷原子正离子P+ 在硅或锗中掺入少量的五价元素，如磷或砷、锑，则形成N型半导体。多余价电子少子多子正离子在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子 N型半导体 P型半导体 在硅或锗中掺入三价元素，如硼或铝、镓，则形成P型半导体。原理图BB- 硼原子负离子空穴填补空位结构图在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。多子少子负离子 多数载流子取决于掺杂浓度，少数载流子取决于温度 一、认识晶体二极管小功率二极管大功率二极管 发光二极管 第一节 晶体二极管及其应用 表示符号 阴极阳极D 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。P 区N 区P区的空穴向N区扩散并与电子复合N区的电子向P区扩散并与空穴复合空间电荷区内电场方向PN结的形成 空间电荷区内电场方向 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡。P区N区多子扩散少子漂移 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定。内电场阻挡多子的扩散运动，推动少子的漂移运动。空间电荷区内电场方向PN多子扩散少子漂移结 论 ：在PN结中同时存在多子的扩散运动和少子的漂移运动。 PN结的单向导电性P区N区内电场外电场EI空间电荷区变窄 P区的空穴进入空间电荷区和一部分负离子中和 N区电子进入空间电荷 区和一部分正 离子中和扩散运动增强，形成较大的正向电流。外加正向电压 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走空间电荷区变宽 内电场外电场少子越过PN结形成很小的反向电流IRE 外加反向电压N区P区 由上述分析可知：PN结具有单向导电性 即在PN结上加正向电压时，PN结电阻很低，正向电流较大。（PN结处于导通状态） 加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小。（PN结处于截止状态）切记 二极管的伏安特性-40-20OU/VI/mA604020-50-250.40.8正向反向击穿电压死区电压U(BR)硅管的伏安特性I/μA-20-40-250.40.2-5010O155I/mAU/V锗管的伏安特性I/μA死区电压死区电压：硅管约为：0.5V,锗管约为：0.1V。导通时的正向压降：硅管约为:0.6V～0.8V,锗管约为:0.2V～0.3V。常温下，反向饱和电流很小.当PN结温度升高时，反向电流明显增加。注 意: 二极管的主要参数-40-20OI/mA604020-50-250.40.8正向反向击穿电压死区电压U(BR)I/μAU/V最大整流电流IFM ：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。最高反向电压URM ：二极管运行时允许承受的最高反向电压最高工作频率fM ：允许通过的最高频率取决于PN结的结电容的大小最大反向电流IRM ：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管，具有稳定电压的作用符号:DZ阴 极阳 极特点:(1)反向特