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- 2023-08-25 发布于四川
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本实用新型公开了一种基于被动式负阻结构的正交单边带混频装置，属于半导体集成电路技术领域，该正交单边带混频装置包括第一单边带混频器(100)、第二单边带混频器(200)、第一缓冲器(300)和第二缓冲器(400)；其中，所述第一单边带混频器(100)包括第一混频电路(101)、第二混频电路(102)、第一加法电路(103)和第一被动式负阻(104)；所述第一被动式负阻(104)在小信号时呈正常的LC结构，Q值低，工作频率范围宽；在大信号时呈现负阻特性，等效负载Q值增加，频率选择性增强。本实用新型具
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210225343 U
(45)授权公告日
2020.03.31
(21)申请号 20192
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