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本发明公开基于纳米线轴向异质结的VCSEL阵列及其制备方法，属于半导体光电子技术领域，包括依次设置的第一电极、绝缘掩埋层、掩模层、衬底和第二电极，所述绝缘掩埋层和掩模层中生长有纳米线，每一根纳米线竖直排列形成纳米线阵列，所述纳米线阵列中的每一根纳米线单独构成一个VCSEL结构。利用纳米圆盘的量子效应提高了特征温度；由于纳米线直径小于1μm，天然具有单横模发射的优点；纳米线能够在垂直于生长方向的两个维度释放应力，对应变具有更高的容忍度，能够实现更大范围的材料组分和波长调控；纳米线为外延生长的单晶结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116646825 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310773740.8 H01S 5/042 (2006.01)
(22)申请日 2023.06.
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