一种半导体结构及其制造方法、存储器.pdfVIP

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2023-08-26 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法、存储器.pdf

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本公开涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器。半导体结构包括：多条金属连线，沿第一方向延伸，第一方向垂直竖直方向；第一沟槽和第二沟槽，沿第二方向间隔排布，位于相邻的两条金属连线之间，第一沟槽的深宽比小于第二沟槽的深宽比，第二方向垂直第一方向；介质层，位于多条金属连线、第一沟槽和第二沟槽上，并且，介质层延伸至第一沟槽和第二沟槽内，覆盖第一沟槽和第二沟槽的侧壁；第一空气隙，位于介质层和第一沟槽之间，第二空气隙，位于介质层和第二沟槽之间；其中，在垂直第一方向的截面上，第一空气隙和第二

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116646333 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202310775808.6 (22)申请日 2023.06.27 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23