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本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以在高k材料与沟道层之间制备高质量的界面层，从而降低界面态密度，提高半导体器件的亚阈值特性。所述半导体器件包括：半导体结构；其中，半导体结构包括半导体基底以及形成在半导体基底上的沟道层。形成在沟道层上的目标界面层。形成在目标界面层上的栅介质层。形成在栅介质层上的金属栅。其中，目标界面层为采用多次交替臭氧氧化处理和氟离子注入处理后，对栅介质层进行退火处理形成的。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提的半导体器件。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116646378 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310621312.3 H01L 21/265 (2006.01)
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