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本发明提供的光刻机的监控方法及监控系统中，光刻机的监控方法包括：提供一晶圆，晶圆上形成有掩膜层；执行曝光工艺，以将掩膜版上的图形转移到掩膜层上；采用外观检测设备对晶圆进行宏观目检，以通过不同散焦类型监控光刻机是否异常，若异常，则判断异常类型，且能够监控至少两种异常类型。通过采用正常的晶圆以及执行正常的曝光工艺，能够监控至少两种异常类型。无需采用超平的晶圆，也无需使用像面倾斜的专用掩膜版，更不需要光刻机停止作业，且通过一片晶圆和一次正常的曝光工艺，能够同时至少监控两种异常类型，简化了光刻机的日常监
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116643465 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310634091.3
(22)申请日 2023.05.31
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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