一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法.pdfVIP

下载本文档

11
0
约8.22千字
约 9页
2023-08-26 发布于四川
举报
版权申诉

一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：制备单晶硒化铂薄膜化学气相沉积装置为：以直径大于等于9cm的石英管的石英管腔体作为反应腔体，一端为载气入口，另一端为载气出口，惰性气体作为载气；反应腔体内包含两个温区，气流上游为低温区，用石英片放置硒粉，气流下游为高温区，放置氧化硅衬底作为铂源基底，两个温区相通；低温区以1‑5小时上升到350℃后保持3‑8小时，高温区以1‑5小时上升到500～600℃后保持3‑8小时，保持过程即为硒化过程。本发明可制备出均匀高质量的单晶硒化铂薄膜。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116641133 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202310643526.0 (22)申请日 2023.06.01 (71)申请人闽南师范大学地址 363000