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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体器件技术领域，包括衬底；位于衬底一侧表面的外延层；外延层在沟道区域形成有二维电子气；位于外延层背向衬底一侧的源极金属电极、栅极金属电极和漏极金属电极；源极金属电极、栅极金属电极和漏极金属电极在沟道区域沿第一方向排列；沟道区域沿第一方向形成有至少一条隔离区域，隔离区域不形成有二维电子气；栅极金属电极跨置隔离区域的两侧。在栅极金属电极的下方设置横向分布的隔离区域，由于隔离区域不含有二维电子气，在工作时不会产生热量，相当于在产热集中的区域增加了一块用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116646395 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310675182.1
(22)申请日 2023.06.08
(71)申请人 苏州睿新微系统技术有限公司
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