双层高蒸发面积坩埚.pdfVIP

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2023-08-26 发布于四川
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双层高蒸发面积坩埚.pdf

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本实用新型提供一种双层高蒸发面积坩埚，涉及长晶设备技术领域。双层高蒸发面积坩埚包括坩埚外壳、坩埚内环和坩埚盖；坩埚内环的外径小于坩埚外壳的内径，坩埚内环放置在坩埚外壳的内部，坩埚内环与坩埚外壳之间形成装填腔，装填腔用于容置碳化硅粉末，坩埚内环上具有孔隙，孔隙的孔径小于碳化硅粉末的粒径，孔隙用于供碳化硅粉末蒸发形成的微粒通过，坩埚盖盖设在坩埚外壳的顶部，坩埚盖的下方为籽晶的生长区。双层高蒸发面积坩埚能够使碳化硅粉末的蒸发面积较大，即每个时刻碳化硅粉末的蒸发量较大，进而提高了长晶的效率。

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219586250 U (45)授权公告日 2023.08.25 (21)申请号 202320935238.8 (22)申请日 2023.04.23 (73)专利权人通威微电子有限公司地址 61