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本发明实施例提供一种磁随机存储器件及电子设备，属于自旋电子器件技术领域。该磁随机存储器件包括呈十字形的底电极层和四个磁隧道结MTJ，所述呈十字形的底电极层包括四个向内的拐角，一拐角的预设位置布置一磁隧道结MTJ，以施加在所述底电极层的写电流流经所述拐角时，对该拐角的预设位置布置的所述磁隧道结MTJ实现数据写入。该磁随机存储器件通过多比特的器件结构，提高存储密度，减少端口数目；存储位的磁隧道结MTJ，通过施加在所述底电极层的写电流流经对应的拐角时，对该拐角的预设位置布置的所述磁隧道结MTJ实现无磁
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116648067 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310779379.X
(22)申请日 2023.06.29
(71)申请人 致真存储 （北京）科技有限公司
地
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