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本发明公开了一种具有双向周期孔结构吸波Si‑C‑N复相陶瓷的制备方法，首先采用化学气相浸渗法，在二维编织结构的碳纤维布上原位沉积一定厚度的Si3N4陶瓷，得到Cf/Si3N4复合材料；然后将其进行氧化处理，得到近空心管状编织结构的Si3N4(C)多孔陶瓷；接着依次沉积SiC纳米界面层作为电磁波损耗层，Si3N4陶瓷作为抗氧化保护层和阻抗匹配层，最后将残余的碳纤维氧化除碳得到具有双向周期孔结构的Si3N4/(SiC/Si3N4/SiC)/Si3N4复相陶瓷。本发明制备得到的Si3N4/(SiC/S
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116639996 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310623864.8
(22)申请日 2023.05.30
(71)申请人 西北工业大学
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