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本公开提供一种硅锗探测器及其制备方法，涉及半导体器件领域，包括：硅沉底，依次叠设于硅沉底上的二氧化硅层以及硅波导；硅波导上形成有N型掺杂区、锗本征区以及P型掺杂区；其中，锗本征区设置于N型掺杂区以及P型掺杂区之间；N型重掺杂区，设置于N型掺杂区远离锗本征区的一侧；P型重掺杂区，设置于P型掺杂区远离锗本征区的一侧；电极，设置于N型重掺杂区以及P型重掺杂区上；电感，设置于电极之间，用于补偿在硅锗探测器中产生的电容效应。本公开在光场和电场两方面优化了器件的带宽、响应度以及饱和输入特性，使硅锗探测器具有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116646410 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310485227.9
(22)申请日 2023.04.28
(71)申请人 中国科学院半导体
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