放电等离子体烧结TiC演讲.ppt

放电等离子体烧结TiC-SiC 复合陶瓷的制备与表征汇报人：李艳芳指导老师：陈永教授 汇报内容 目录1.研究背景及意义3.实验结果与讨论2.实验内容 1.研究背景及意义碳化钛（Titanium Carbide, TiC）具有高熔点(3060℃)、高硬度（30 GPa）、良好的化学和热稳定性、优异的耐磨损性和耐腐蚀性。TiC 结构陶瓷材料已被广泛应用到机械、航空、微电子等高科技术领域。20 世纪90 年代，TiC 作为第4代核反应堆的惰性基体燃料（Inert matrix fuel, IMF）已被关注。断裂韧性及抗氧化性较差严重限制了TiC 陶瓷材料在高温、高辐照环境中的应用。SiC 具有优良机械性能和抗氧化性能。 2. 实验内容 3.实验结果与讨论Figure 2 Optical microscope observation of samples sintered by SPS at 1600?C for 1 min: (a) monolithic TiC; (b) TiC-10wt%SiC; (c) TiC-20wt%SiC;(d) TiC-30wt%SiC, and (e) TiC-40wt%SiC composites 3.实验结果与讨论Figure 3 Variation of relative density of sintering samples with content of SiC. 3.实验结果与讨论Figure 4 Variation of the fracture toughness and Vickers hardness of TiC-SiC composites with nanosized SiC content (1600?C, 1 min without anysintering aids). 3.实验结果与讨论Figure 6 SEM micrographs of fracture surface of (a) monolithic TiC and (b) TiC-20wt%SiC. 3.实验结果与讨论SiC 与TiC 晶粒在烧结过程中起到相互抑制的作用；TiC 的维氏硬度随着SiC 含量的增多而降低；SiC 含量小于30%时，TiC-SiC 复合材料的断裂韧性明显得到了提升。 3.实验结果与讨论 从X 射线衍射图谱中可以看到，其相组成为TiC 和SiC，无其它新相生成。这说明TiC 与SiC 在烧结过程中并没有发生明显的化学反应，样品内部晶粒主要由TiC和SiC 组成。图2 TiC-SiC 样品的XRD 图谱Fig.2 XRD patterns of TiC- SiC samples 3.实验结果与讨论图3 不同SiC 含量TiC 样品的SEM 断面形貌Fig.3 SEM fracture micrographs of the sample: (a) TiC, (b) TS-1,(c) TS-2, (d) TS-3, (e) TS-4, and (f) SiC当SiC 含量小于30%时，SiC 颗粒均匀弥散分布在TiC 基体中，抑制了TiC 晶粒的生长，细化了显微组织结构。并且随着SiC 添加量的增加，晶粒的细化程度明显提高。当SiC 含量27.7%时，TiC与SiC 晶粒相互抑制效果最好，显微结构均匀化程度最高，这与表1 得到的结果一致。纯TiC 陶瓷断裂模式以沿晶断裂为主，而添加SiC 的TiC-SiC 复合陶瓷断裂模式以穿晶断裂为主。 3.实验结果与讨论根据晶界玻璃相与基体颗粒热失配应力公式，计算纯TiC 陶瓷内部的残余应力状态：公式中：m—基体，p—颗粒；σmr—基体径向残余应力；σmθ—基体切向残余应力；σg—晶界相残余力；α—热膨胀系数；ΔT—温度变化；E—弹性模量；γ—泊松比；fm—基体的体积分数。 根据文献中对TiC 和SiC 参数的设置，可以计算出纯TiC 陶瓷内部晶界玻璃相的应力为拉应力(+)，也就是说晶界玻璃相的断裂表面能比较低，当样品发生断裂时裂纹将会沿着晶界方向前进，所以纯TiC陶瓷的断裂模式以沿晶断裂为主。 3.实验结果与讨论 对于TiC-SiC 复相陶瓷来讲，材料在制备过程的冷却阶段基体和第二相颗粒内易产生残余应力。根据残余热应力计算公式(3)计算出基体内应力存在的状态：在TiC-SiC 复合陶瓷体系内，TiC 相的径向残余应力和切向残余应力分别为-1100 MPa 和550 MPa。相对于TiC 相来说，SiC第二相晶粒处于径向拉伸状态，如图所示。SiC 颗粒均匀分散在TiC 与TiC 颗粒之间，当样品受到外力作用时，裂纹易穿过SiC 晶粒，形成第二相颗粒的穿晶断裂模式。TiC-SiC 复合材料中SiC 晶粒的断裂表面