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本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底100、层叠于衬底100之上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，以及分别与P型半导体层和N型半导体层电性连接的P电极和N电极，所述P电极和N电极位于衬底100的同一侧，所述P电极包括焊接区和指状结构，其特征在于：所述衬底和发光层之间有与N电极连接的N扩展条。本实用新型通过在衬底和发光层之间设置与N电极连接的N扩展条，增大外延层发光面积，促进电流扩展，改善电流拥挤效益。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210245537 U
(45)授权公告日
2020.04.03
(21)申请号 20192
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