低压电力装置用氮化镓场效应晶体管通用技术规范.pdfVIP

低压电力装置用氮化镓场效应晶体管通用技术规范 1 范围 本文件规定了应用于低压电力装置中的氮化镓场效应晶体管的技术规范，内容涵盖产品的术语和定 义符号、代号和缩略语、技术要求、检测规则以及包装、运输及储存。 本文件适用于低压电力装置 （220V/380V）的级联型氮化镓场效应晶体管。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 4586 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4937.2 半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分：低气压 GB/T 4937.3 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 GB/T 4937.4 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST) GB/T 4937.15 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 GB/T 4937.31半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性 （内部引起的） GB/T 5169.16 电工电子产品着火危险试验 第16部分：试验火焰 50W水平与垂直火焰试验方法 GB/T 7251.1 低压成套开关设备和控制设备 第 1部分:总则 GB/T 7289 电学元器件 可靠性 失效率的基准条件和失效率转换的应力模型 GB/T 12300功率晶体管安全工作区测试方法 GB/T 19403.1半导体器件 集成电路 第11部分：第 1篇：半导体集成电路 内部目检(不包括 混合电路) GB/T 26218.1 污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定 第1部分：定义、信息和一般原 则 GB/T 29332半导体器件 分立器件 第 9 部分: 绝缘栅双极晶体管( IGBT ) SJ/T 11363 电子信息产品中有毒有害物质的限量要求 T/CASAS 002 宽禁带半导体术语 T/CASAS 005 基于硬开关电路的GaN HEMT 电力电子器件动态电阻测试方法 IEC 60749-5 半导体器件机械和气候试验方法第 5 部分 :稳态温度湿度偏置寿命试验 (Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 5: Steady-state temperature humidity bias life test) IEC 60749-25半导体器件机械和气候试验方法第25部分:温度循环(Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 25: Temperature cycling) 1 IEC 60749-26半导体器件机械和气候试验方法第26部分:静电放电 （ESD）灵敏度测试.人体模型 （HBM）(Semiconductor devices.Mechanicaland climatic testmethods-Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing. Human body model (HBM)) IEC 60749-28半导体器件机械和气候试验方法第28部分:静电放电 （ESD）灵敏度测试.带电器件 模型 （CDM）.器件级 （Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostaticdischarge (ESD)sensitivitytesting-Chargeddevicemodel (CDM)-devicelevel） IEC 60749-42 半导体器件机械和气候试验方法第42部分:温度和湿度贮存(Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 42:Temperature and humidity storage) 3 术语和定义 下列术语和定义适用