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本实用新型属于气压传感器技术领域，尤其为一种气压传感器，包括硅衬底、二氧化硅层、硅薄膜、金属层和背极板，所述背极板位于所述硅衬底的上表面，且与所述硅衬底固定连接，所述二氧化硅层的数量为两个，两个所述二氧化硅层均对称分布在所述硅衬底上表面的两端，且所述二氧化硅层和所述硅衬底连接时形成空腔，该空腔内设有金属层，所述硅薄膜安装在两个所述二氧化硅层中间靠近所述背极板的上方，所述硅薄膜和所述二氧化硅层固定连接，且所述硅薄膜安装时，所述硅薄膜和所述背极板之间形成空腔；气压使硅薄膜形变，从而改变由硅薄膜跟背极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210243056 U
(45)授权公告日
2020.04.03
(21)申请号 20192
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