原创力文档- 11
- 0
- 约1.12万字
- 约 11页
- 2023-08-29 发布于四川
- 举报
本申请的各实施例涉及集成电路。集成电路的电容元件包括第一电极和第二电极。第一电极由位于掺杂有第一导电类型的半导体阱上方的第一导电层形成。第二电极由位于半导体阱的第一导电层上方的第二导电层形成。第二电极还由半导体阱内的表面区域形成，该表面区域高度掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中表面区域位于第一导电层下方。电极间电介质区域将第一电极和第二电极电分离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210272346 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
文档评论（0）