可控硅导通条件 .docxVIP

PAGE PAGE 1 可控硅导通条件 　　可控硅导通条件： 　　一是可控硅阳极与阴极间必需加正向电压，　　二是掌握极也要加正向电压。　　以上两个条件，单向可控硅的工作原理图必需同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低掌握极电压或去掉掌握极电压，可控硅仍旧导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。  　　双向可控硅: 　　可控硅具有两个方向轮番导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极，而是把与掌握极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做其次电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的力量较低。这是由于双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必需实行相应的爱护措施。双向可控硅元件主要用于沟通掌握电路，如温度掌握、灯光掌握、防爆沟通开关以及直流电机调速和换向等电路。