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本发明公开了一种半导体发光二极管，该二极管包括从下到上一次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体；量子阱由阱层和垒层组成周期结构，量子阱具有若干个周期；量子阱的Si掺杂浓度从浅量子阱向电子阻挡层方向的第一预设周期内逐渐下降；量子阱的Mg掺杂浓度从电子阻挡层向浅量子阱方向的第二预设周期内逐渐下降；量子阱中具有Si掺杂和Mg掺杂的交叉区域。采用本发明实施例，通过浅量子阱、量子阱和电子阻挡层形成狄拉克量子隧穿结构，使得电子和空穴在该狄拉克量子隧穿结构中无法通过扩散和漂移在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116666509 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310662766.5 H01L 33/32 (2010.01)
(22)申请日 2023.06.
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