CIS器件键合的方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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CIS器件键合的方法.pdf

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本发明提供一种CIS器件键合的方法，提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有待键合的上衬底，第二晶圆具有待键合的下衬底；在第一晶圆的上衬底上形成第一键合层，第一键合层上形成有多个孔洞，使得第一键合层为网格空心结构；在第二晶圆的下衬底上形成第二键合层，第二键合层上形成有多个孔洞，使得第二键合层为网格空心结构；将第一晶圆的第一键合层与第二晶圆的第二键合层进行键合。本发明的键合方法发生键合层凹陷的风险更低，更易形成接触良好的键合界面，因而晶圆在电性测试的过程中，能保证更高的准确性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666409 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310521533.3 (22)申请日 2023.05.10 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址