半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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半导体元件及其制作方法.pdf

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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，先提供一基底包含一高压区以及一低压区，然后形成一基座于该高压区以及多个鳍状结构于该低压区，形成一第一绝缘层环绕该等鳍状结构，去除该基座、该第一绝缘层以及部分该等鳍状结构以形成一第一凹槽于该高压区以及一第二凹槽于该低压区，形成一第二绝缘层于该第一凹槽以及该第二凹槽内，再平坦化第二绝缘层以形成第一浅沟隔离于该高压区以及第二浅沟隔离于该低压区。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666218 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202210155370.7 (22)申请日 2022.02.21 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国