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本发明提供一种光电测量p型GaN宽温谱电子扩散长度的方法及装置，方法如下：将p型GaN材料进行表面处理，在某一温度T0下利用光电法测量其量子效率，并拟合得到该温度下的L0，逐一测试不同温度下的量子效率，最终实现宽温谱电子扩散长度的测量。所述装置由表面处理系统、表面测试系统、拟合计算系统组成，与现有的方法相比，该方法测量电子扩散长度响应迅速，装置简单，稳定性好，可以根据实际需求，达到应用所需的精确度，且可以测量不同温度下的电子扩散长度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116660156 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310574161.0
(22)申请日 2023.05.18
(71)申请人 电子科技大学长三角研究院（湖州）
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