4g器件规格书新物料hr8023gs6.pdfVIP

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2023-08-30 发布于北京
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HR8023GS6 P-Channel Enhancement Mode MOSFET ⚫ Features  Applications ➢ Load Switch VDS VGS RDSon TYP ID ➢ Portable Devices 60mR@-4V5 ➢ DCDC conversion -20V ±8V -3A 75mR@-2V5 ⚫ P onfiguration Top View ⚫ General Description This device is produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state . This device particularly suits low voltage applications such as portable equipment, power management and other battery powered circuits, and low in-line power dissipation are needed i y small outline surface mount package. Excellent thermal and electrical capabilities. D: Drain; G: Gate; S: Source ⚫ Package Information SOT23 Unit:mm 1 / 3 HR8023GS6 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Applications Load Switch VDS VGS RDSon TYP ID Portable Devices 60mR@-4V5 DCDC conversion -20V ±8V -3A 75mR@-2V5