一种LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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一种LED芯片及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，该方法包括：在芯片主体的表面生成钝化层，具体为，在芯片主体的表面涂覆第一厚度的第一PHPS胶层，并于第一温度下对第一PHPS胶层的表层进行水解，以生成多孔层；于第二温度下对剩余第一PHPS胶层进行氧化，以在多孔层的正下方生成钝化层；在多孔层的表面涂覆第二厚度的第二PHPS胶层，对第二PHPS胶层进行紫外光照处理，以形成隔离结构。通过本申请，改善了利用第一PHPS胶层转化成钝化层的过程中氧化硅容易出现梯度分布问题，加快了生成钝化层的时间，以便于厂中大面积生产

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666522 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310569099.6 (22)申请日 2023.05.19 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 3