一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法.pdf

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本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：(1)对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结果，将不同衍射晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的标准峰进行比较，获得晶片的各向应变值；(2)根据各向应变值和弹性常数计算晶片的各向应力。该方法能够实现对晶片各向应力的无损和精准检测，为晶片各向应力的分析提供了新思路，可推广用于晶片各向应力的标准化检测。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116657249 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310637184.1 (22)申请日 2023.05.31 (71)申请人上海天岳半导体材料有限公司地址