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本发明涉及一种以泡沫铜作催化剂制备垂直石墨烯阵列的方法，包括以下步骤：S1、将衬底放置在泡沫铜表面上，然后将放置有衬底的泡沫铜置于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统的反应腔内；S2、对PECVD系统的反应腔进行抽真空，待真空度达到要求后，向PECVD系统内通入氩气气体，营造惰性气体氛围；S3、以设定的升温速率将反应腔的温度升至600~800℃，然后通入设定量的碳源，并打开等离子体进行辐照，恒温反应1~2小时；S4、恒温反应结束后，关闭碳源和等离子体，冷却，制备得到垂直石墨烯阵列。该方法有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116654915 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310596476.5
(22)申请日 2023.05.25
(71)申请人 闽都创新实验室
地址 35011
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