原创力文档- 7
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- 2023-08-31 发布于四川
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一种DRAM存储器，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于有源区中那一部分字线沟槽的宽度，相应的位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于有源区中那一部分字线结构的宽度。即本实用新型中的字线结构呈波浪形，具有该种形状的字线结构一方面使得字线结构中的金属电极的截面面积增大，从而降低字线结构的电阻；另一方面，由于有源区两侧或周围的字线结构宽度大于有源区中的字线结构的宽度，使得DRAM存储器的晶体管的门电极接触面积增加(即增加晶体管的栅极宽度)，这有利于增加DRAM存储器的晶体管的导通
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210272310 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
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