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半导体存储器.pdfVIP

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  • 2023-08-31 发布于四川
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半导体存储器.pdf

    本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体存储器。所述半导体存储器包括：衬底，所述衬底内具有多条字线以及位于相邻两条字线之间的导电接触区；沟槽，位于所述导电接触区内；接触窗口，位于所述导电接触区内，所述接触窗口位于所述沟槽上方且与所述沟槽连通，所述接触窗口的宽度大于所述沟槽的宽度；接触插塞，接触窗口，位于所述导电接触区内，所述接触窗口位于所述沟槽上方且与所述沟槽连通，所述接触窗口的宽度大于所述沟槽的宽度。本实用新型增大了接触插塞与导电接触区之间的接触面积，从而降低接触插塞与导电接触区之

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210272360 U (45)授权公告日 2020.04.07 (21)申请号 20192

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