原创力文档- 2
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- 2023-08-31 发布于四川
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本实用新型公开了一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，包括基板，所述基板的正面开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定连接有IGBT芯片，所述基板的正面固定连接有固定条，所述固定条的正面开设有收纳槽，所述基板的侧面固定连接有转轴，所述转轴的表面固定连接有盖板，所述盖板的一侧固定连接有伸缩管。该具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，通过设置转轴和盖板，便于保护IGBT芯片，通过设置固定条、支撑竖条和支撑横条，便于支撑盖板，给IGBT芯片留点散热空间，通过设置伸缩管、方槽、圆孔、曲线管和通风孔，便于气
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210272372 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
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