原创力文档- 3
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- 2023-08-31 发布于四川
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一种集成发光MicroLED芯片，属于半导体光电技术领域，在衬底的上方依次设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，在n型掺杂GaN层上分别设置N型电极、绝缘介质掩膜层、第一、第二蓝光电致发光结构层和绿光电致发光结构层，在第一、第二蓝光电致发光结构层和绿光电致发光结构层表面分别设置P型电极；在第二蓝光电致发光结构层的透明导电层上设置红光光致发光转换层。本实用新型达到了将GaN基蓝光和绿光电致发光与红光光致发光技术集成，制作成红、绿、蓝三基色MicroLED发光单元，并且将红、绿、蓝三
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210272366 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
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