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- 2023-08-31 发布于四川
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本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种焊盘结构及半导体器件。所述焊盘结构包括:焊盘本体,包括相对分布的上表面和下表面,所述下表面用于与芯片的内部电路电连接;沟槽,自所述上表面向所述焊盘本体的内部延伸,将所述焊盘本体分隔为测试区域和焊接区域,且所述沟槽的深度小于所述焊盘本体的厚度。本实用新型避免了因探针测试而导致的封装连线易失败的问题,避免了在所述测试区域与所述焊接区域之间产生较大的电阻,也避免了外界环境对芯片的损伤,进一步提高了半导体器件的性能稳定性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210272338 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
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