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一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器.pdfVIP

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  • 2023-08-31 发布于四川
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一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器.pdf

    本专利公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210272386 U (45)授权公告日 2020.04.07 (21)申请号 20192

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