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半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-09-02 发布于四川
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半导体器件.pdf

    本实用新型提供了一种半导体器件。半导体器件中具有不同开口尺寸的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽，并根据不同的开口尺寸对应调整填充在第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽中的绝缘材料。如此，即实现了半导体器件中沟槽隔离结构的多样性，从而可以根据不同的隔离区域对应采用不同的沟槽隔离结构，提高了沟槽隔离结构应用灵活性；并且，还有利于简化各个沟槽隔离结构的制备难度，提高半导体器件的生产效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210296339 U (45)授权公告日 2020.04.10 (21)申请号 20192

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