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本发明公开了一种高压硅MEMS压力传感器及制备方法，属于敏感元件与传感器领域。所述高压硅MEMS压力传感器采用MEMS硅芯片作为敏感元件，具备的高精度、高线性度、低成本，以及适于实现大批量的生产的优点；采用不锈钢作为应变片，在高压范围内具有良好的线弹性性能，可以近乎无损的将外界压力传递至其上方的MEMS硅芯片处，从而实现在高压环境下的应用；玻璃材料用于MEMS硅芯片和不锈钢应变片的粘接，保证可使用的温度范围扩大；此外，引线键合的位置在非感压区域，避免了引线受到压力载荷冲击的可能性，本发明可以大幅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114993548 A
(43)申请公布日 2022.09.02
(21)申请号 202210614715.0
(22)申请日 2022.05.30
(71)申请人 无锡胜脉电子有限公司
地址 214
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