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本实用新型公开一种冷壁法CVD沉积设备，涉及CVD沉积设备技术领域。该CVD沉积设备包括设备框架，安装于设备框架上的设备主体，设备主体呈中空圆筒状，设备主体的内部设有保温腔，保温腔的内腔设有加热沉积机构；加热沉积机构包括碳硅棒、陶瓷管、基材管、第一法兰、第二法兰；陶瓷管贯穿设备主体横向的两端且通过卡扣紧固。工作时由进气口通入原料气体CH4、H2、Ar，原料气体进入腔体内后，CH4集中在加热体附近裂解，并在加热体上放置的基材管上沉积生长。本实用新型采用加热体直接置于管体内部的形式，充分利用加热体所
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210314476 U
(45)授权公告日
2020.04.14
(21)申请号 20192
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