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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-09-06 发布于四川
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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层包括势阱层和势垒层；每个势垒层均包括依次层叠的第一三元掺杂GaN层、SiGaN层和第二三元掺杂GaN层；所述第一三元掺杂GaN层的掺杂元素为Be、Mg和O，所述第二三元掺杂GaN层的掺杂元素为Be、Mg和O；所述第一三元掺杂GaN层的掺杂浓度与第二三元掺杂GaN层的掺杂浓度相同或不同。实

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705931 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310572852.7 H01L 23/60 (2006.01) (22)申请日 2023.05.

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