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本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是一种蚀刻引线框架后粗化工艺，包括主体箱，所述主体箱的内部两侧侧壁上对称固定有固定座，两个所述固定座的相对侧均开设有收放槽，两个所述固定座之间固定有用于放置引线框架的放置框；通过输水机构将水喷洒至引线框架上，通过对引线框架的冲洗，有利于减少化学溶液残留在引线框架上的时间，从而有利于避免化学溶液停留时间过长造成粗化过深的情况，在对引线框架冲洗的过程中，操作者启动清刷机构，因为引线框架上被微蚀刻出来的铜，遇到降温会产生五水硫酸铜晶体，所以清刷机构在移动的过程中首先对
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705618 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310476228.7
(22)申请日 2023.04.28
(71)申请人 天水华洋电子科技股份有限公司
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