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半导体器件、其制作方法及其量测方法.pdfVIP

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  • 2023-09-06 发布于四川
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半导体器件、其制作方法及其量测方法.pdf

    本发明公开了一种半导体器件、其制作方法、及其量测方法，半导体器件包括衬底、第一电介质层、多个第一对准标记、第二电介质层、以及多个第二对准标记。第一电介质层设置在衬底上，第一对准标记设置在第一电介质层内，第一对准标记的顶面与第一电介质层的顶面共平面。第二电介质层设置在第一电介质层上。第二对准标记相互分隔地设置在第二电介质层内，各第二对准标记具有阶梯状结构，其中，第二对准标记的底面物理性接触平面。如此，第一对准标记、第二对准标记之间不会相互干扰，以确保所述半导体器件内的互连结构得以设置在预计的位置。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705766 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310567962.4 (22)申请日 2023.05.18 (71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司 地址

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