具有稳健的亚阈值操作的MOSFET晶体管.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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具有稳健的亚阈值操作的MOSFET晶体管.pdf

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在具有形成在衬底上的晶体管区(106)的集成电路的所描述示例中，每个晶体管区(106)包括沟道区(116)和端子区(112,114)。沟道区(116)沿着横向尺度定位，并且其包括沿着纵向尺度的沟道边缘区。端子区(112,114)邻近沟道区(116)定位，并且其用第一导电类型的第一掺杂剂掺杂。每个晶体管区(106)可以包括边缘阻挡区，该边缘阻挡区沿着纵向尺度定位并且与沟道边缘区相邻。边缘阻挡区用与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂掺杂。沟道区(116)用掺杂剂掺杂并具有第一掺杂浓度。每个晶

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109075165 A (43)申请公布日 2018.12.21 (21)申请号 20178