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本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板,该阵列基板包括:基板、栅极、栅极绝缘层、种子层以及半导体层。所述基板包括相对设置的第一面和第二面。所述栅极部分覆盖所述第一面。所述栅极绝缘层设置在所述栅极远离所述第一面的一侧,且延伸至所述第一面。所述种子层设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧。所述半导体层部分覆盖所述种子层远离所述栅极绝缘层的一侧,且所述半导体层远离所述种子层的一侧表面具有纳米晶粒生长形成的凹凸形结构。通过纳米晶粒生长形成的凹凸形结构,增强半导体层的吸光性,解决响应速度
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111987111 A
(43)申请公布日 2020.11.24
(21)申请号 202010806540.4
(22)申请日 2020.08.12
(71)申请人 TCL华星光电技术有限公司
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