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…………………………………………………………… ……………………………………………………………最新资料推荐………………………………………………… PAGE PAGE 10 / 22 模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 一。半导体的基础知识 1.半导体——-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。 2。特性—-—光敏、热敏和掺杂特性。 ３.本征半导体————纯净的具有单晶体结构的半导体。 4。两种载流子-—--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体——-—在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ＊P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子 )。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） . 杂质半导体的特性 *载流子的浓度—-—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关 . *体电阻——-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型—-—通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 ＰN 结 * ＰN 结的接触电位差——－硅材料约为 0。6~0。8V，锗材料约为 0。2～０.３V． * PN 结的单向导电性－--正偏导通，反偏截止. 8。 PN 结的伏安特性 二。 半导体二极管 ＊单向导电性—－－-—－正向导通,反