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本发明提供了一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器，包括：绝缘体上硅基层，所述绝缘体上硅基层包括顶部硅层和氧化物掩埋层，其中，在所述顶部硅层形成光波导，以及在所述顶部硅层位于所述光波导两侧，并沿所述光波导延伸的方向，串联阵列20个PN二极管。本发明用于光子芯片中高速信号的加载，调节光子计算芯片中光强大小，减少驱动所需功耗，实现光芯片中低电压高速信号的加载。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116699877 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310699135.0
(22)申请日 2023.06.13
(71)申请人 北京信息科技大学
地址 1000
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