咔唑基聚合物及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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咔唑基聚合物及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种咔唑基聚合物及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法。咔唑基聚合物的结构通式为：其中，n为1～100中的自然数，R1选自氢、苯基和烷基链中的任意一种；R2选自氢、具有1到8个碳原子的直链、具有1到8个碳原子的支链、具有1到8个碳原子的环状烷基链和具有1到8个碳原子的烷氧基中的任意一种；选自中的任意一种；选自中的任意一种。本发明提供的咔唑基聚合物分子具有多个活性位点，具有很好的拓展性，可对分子进行多种扩展，提供了一种探寻OFET存储器存在的存储机制与分子结构之间关系的有效途径；同时，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116693820 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310793367.2 H10K 71/12 (2023.01)